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一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮极性面氮化镓共振隧穿二极管材料生长极性控制难度大、位错密度高，器件自热效应及微分负阻效应稳定性和重复性退化问题。其自下而...
光电器件领域内的，特别设计一种纤维机械增强的LED显示阵列以及制作方法。该纤维机械增强的LED显示阵列，包括芯片，包括LED发光芯片和CMOS驱动芯片，LED发光芯片和CMOS驱动...
一种LDMOS器件，包括衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件区，所述LDMOS器件区包括源极区、漏极区以及栅极区，所述源极区和漏极区之间设有漂移区，所...
一种HEMT器件及其自隔离方法、制作方法。所述自隔离方法包括：在表面具有图形化低温结晶层的衬底上外延生长具有横向极性结构的外延层，并通过调控外延生长条件，使形成的金属极性区的表面和...
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