| 制造PIC(功率集成电路)器件的方法以及这种方法制造的PIC器件 |
| 简介： |
对于得到源（１９）和漏（２４）之间的足够高的穿通电压，ＤＭＯＳ晶体管内的相对于栅电极（１２）形成的以自对准方式提供的深扩散的背栅区（１６）很必要。将较重的背栅注入和轻源注入（１７）以及重源注入（１９）与栅电极上的间隔层结合，使用填隙式扩散和由于晶体损坏引起的加速扩散，可以使所述的背栅区的扩散例如在低于９５０℃的温度下进行。这可以将ＤＭＯＳＴ集成到例如标准的ＶＬＳＩＣＭＯＳ中，其中进行第一δＶｔｈ和沟道剖面注入，随后形成多晶硅栅（１３，１４），这意味着温度超过１，０００℃的长周期扩散步骤不再允许进行。在ｐ沟道ＭＯＳ的ｐ型ＬＤD注入和ｎ沟道ＭＯＳ的ｐ型阱注入期间背栅区的掺杂增加，效果增强。 |
| |
| 全文：详细说明书附图共15页 | |
当前位置：