非易失性存储装置及其制造方法


非易失性存储装置及其制造方法
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一种非易失性存储装置及其制造方法。本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，以防止存储于电荷俘获层的电荷移动到邻近的存储单元。制造非易失性存储装置的方法包括：在半导体衬底上形成第一介质层，半导体衬底中由隔离层定义有源区；在第一介质层上形成电荷俘获层；除去隔离层上的第一介质层和电荷俘获层；在包括电荷俘获层的隔离层上形成第二介质层；以及在第二介质层上形成导电层。