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基于标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法

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提供了一种利用标准CMOS?IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法利用标准CMOS?IC工艺中的互补P阱和N阱掩膜版,用于注入形成阱、沟道掺杂和阈值调整,来实现TFET的本征沟道和体区,并利用版图上栅与漏区之间的间距抑制TFET的双极效应,实现互补TFET。本发明采用标准CMOS?IC工艺中现有的工艺,在不增加任何掩膜版和工艺步骤的基础上,实现了互补隧穿场效应晶体管(TFET)的制备。