| 低温的掺杂后活化工艺 |
| 简介： |
本技术提供一种有关MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在基板(10)之上形成栅极电极(24)，以及于该栅极电极(24)和该基板(10)之间形成栅极氧化物(16)；在该基板(10)上形成源极/漏极延伸区(30、32)；形成第一和第二侧墙间隔区(Side Wall Spacers)(36、38)；在该基板(10)之内植入掺杂物(Dopant)(44)，以在邻近该侧墙间隔区(36、38)的该基板(10)上，形成源极/漏极区(40、42)；施行激光热退火以活化该源极/漏极区(40、42)；在该源极/漏极区(40、42)之上沉积一镍层(46)；施行退火以形成配置于该源极/漏极区(40、42)上的硅化镍层(46)。该源极/漏极延伸区(30、32)和该侧墙间隔区(36、38)是邻接栅极电极(24)。该源极/漏极延伸区(30、32)可具有5到30纳米的深度，而该源极/漏极区(40、42)可具有40到100纳米的深度。该退火处理的温度是在350到500℃之间。 |
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| 全文：详细说明书附图共16页 | |
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