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HKMG结构制作方法

时间:2021/9/16 12:03:41 点击:

  核心提示:一种HKMG结构制作方法,包括以下步骤:优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序,依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层;N型金...
一种HKMG结构制作方法,包括以下步骤:优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序,依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层;N型金属栅区域和P型金属栅区域执行伪多晶硅栅工艺;去除伪多晶硅栅;打开N型金属栅区域的伪多晶硅栅刻蚀停止层;去除N型金属栅区域的P型功函数层;形成N型功函数层;形成金属栅。本发明能在不增加工艺步骤的前提下,能有效控制HKMG工艺中常见的铝扩散问题,并减少P型金属栅填充时film层数,从而可以有效增大AL填充窗口,优化金属栅Al填充缺陷,提高HKMG结构器件性能。

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