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基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作方法

时间:2021/9/19 10:20:52 点击:

  核心提示:一种基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作工艺,其包括:若干呈周期排列的正方形周期单元,该正方形周期单元共有三层,由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层,金属图案层紧贴在中间介质层的...
一种基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作工艺,其包括:若干呈周期排列的正方形周期单元,该正方形周期单元共有三层,由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层,金属图案层紧贴在中间介质层的表面,金属反射层设置在中间介质层的底部,形成类似三明治结构;所述金属图案层由方形金属开口环、方形金属片和金属条构成,所述方形金属开口环的开口设置在四个顶点位置处,方形金属片设置在方形金属开口环内部且同轴同心,且方形金属片通过金属条与方形金属开口环相连接。本发明提出的太赫兹窄带吸收器结构简单、紧凑、完美对称、易于实现、品质因数高。

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