通信激光器半导体芯片及其制作方法

提供了一种通信激光器半导体芯片的制作方法，包括如下步骤：S1，将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条得到Bar条，并进行处理；S2，处理完后在待镀Bar条的出光腔面依次镀三层高透过膜系，三层所述高透过膜系分别为第一Si膜、第一SiO膜以及第一SiO2：H膜；S3，在完成出光腔面的镀膜后，接着对待镀Bar条的背光腔面依次镀四层高反射膜系，三层高反射膜系分别为第二SIO膜、第二Si膜、第二SiO2：H膜以及第三Si膜。还提供一种通信激光器半导体芯片，由上述的通信激光器半导体芯片的制作方法制得。本发明端面膜系采用纯Si系多层膜能有效提升膜层间的晶格匹配度，减少因晶格失配比高造成的激子、缺陷和晶格振动进而影响光吸收系数。

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