半导体结构的制作方法

一种半导体结构的制作方法，包括：提供基片，基片包括衬底与掩膜层，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构将衬底隔离出多个间隔排布的有源区，掩膜层位于衬底上，且包括至少一层膜层，且基片具有位线接触原始孔，位线接触原始孔自掩膜层表面延伸至有源区内；于位线接触原始孔内填充牺牲掩膜；基于牺牲掩膜去除至少一层掩膜层，剩余的位线接触原始孔构成位线接触孔；去除牺牲掩膜；形成位线接触材料层，位线接触材料层填充位线接触孔，且用于形成位线接触结构。本申请可以有效降低位线接触结构之中的缝隙。

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