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  • 一种用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法 2021-09-16 点击:204
  • 一种用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法,位于基底上的源区外延区和漏区外延区;栅极结构包括:金属栅;包围金属栅侧壁和底部的功函数层;依附于功函数层侧壁的内侧墙;依附于内...
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